薄膜電阻低電阻溫度系數生產工藝是目前常用設計方式，薄膜電阻這種生產結構包括氧化鋁陶瓷基底，TaN電阻材料層與Ni70Cr30金屬電阻材料層，Cu/Ni/Au電極層，以及SiO2保護層。TaN電阻材料層設于氧化鋁陶瓷基底與Ni70Cr30金屬電阻材料層之間；Ni70Cr30金屬電阻材料層上表層設有Cu/Ni/Au電極層以及非Cu/Ni/Au電極層區域的SiO2保護層。薄膜電阻超低電阻溫度系數生產方法包括以下步驟：

1、薄膜電阻選用尺寸為50.8mm×50.8mm×0.254mm，純度為99.6％的氧化鋁陶瓷基片，清洗干凈后，通過磁控濺射的方法，依次沉積好具有負電阻溫度系數的TaN電阻材料層與具有正電阻溫度系數的Ni70Cr30金屬電阻材料層和Cu/Ni/Au金屬電極層；
2、將生產制得薄膜電阻放入200℃烘箱，熱處理6h；
3、另外薄膜電阻通過光刻和濕法腐蝕的方法，制作出金屬電極區域圖形；
4、通過光刻和離子刻蝕生產薄膜電阻金屬電極方法，將Ni70Cr30金屬材料層制作出電阻線條圖案；
5、所得到的基片裝入夾具，測得薄膜電阻的溫度系數為5.7～10.4ppm/℃；
6、在通過離子刻蝕和激光調阻的方法，減小Ni70Cr30金屬電阻材料層的面積，測試溫度系數為3.2～6.8ppm/℃；
7、利用PECVD在該基板正面沉積SiO2保護層，通過光刻的方法，露出Cu/Ni/Au金屬電極層區域。

此外薄膜電阻當制備溫度系數為負值的薄膜電阻時，它的生產方法具體如下：

1、在清洗干凈的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉積負電阻溫度系數材料層、正電阻溫度系數材料層和金屬電極層；
2、將該薄膜電阻進行熱處理，然后制作出金屬電極區域圖形；
3、將正電阻溫度系數材料層制作出需要的線條圖案；
4、減小負電阻溫度系數材料層面積或者同時減小正電阻溫度系數材料層和負電阻溫度系數材料層的面積，得到電阻溫度系數≤±10ppm/℃的低溫度系數的薄膜電阻；
5、在金屬電極區域以外的區域涂覆鈍化保護層。

薄膜電阻

另外薄膜電阻生產當制備溫度系數為正值的薄膜電阻時，它的生產流程又有不同，具體如下：

1、在清洗干凈的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉積負電阻溫度系數材料層、正電阻溫度系數材料層和金屬電極層；
2、將該薄膜電阻進行熱處理，然后制作出金屬電極區域圖形；
3、將具有正電阻溫度系數的材料層制作出需要的線條圖案；
4、減小具有正電阻溫度系數的材料層面積或者同時減小具有正電阻溫度系數的材料層和負電阻溫度系數的材料層的面積，得到電阻溫度系數≤±10ppm/℃的低溫度系數的薄膜電阻；
5、在金屬電極區域以外的區域涂覆鈍化保護層。

通過以上方法生產的薄膜電阻器，在低溫漂設計中可以有些的保證薄膜電阻的穩定性能，在很多電阻廠家選擇生產工藝的時候都會精細考察市場情況，目前這種薄膜電阻生產工藝技術非常優越，在很多高端薄膜電阻廠家都已經進行布局生產，而且這種低溫漂系數的薄膜電阻深受市場的認可，具有非常大的電阻市場前景。